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「第156回ラドテック研究会講演会」のお知らせ

2018.04.02

「第156回ラドテック研究会講演会」をご案内いたします。今回も4本の講演が予定されています。

 

日時: 2018年4月26日(木)13:00〜17:00

会場:東京理科大学神楽坂キャンパス1号館17階/記念講堂

 

プログラムは下記のとおりです。

 

(1)13:00〜13:50

「反応現像を鍵とするエンプラ等の汎用的画像形成法の開発」

横浜国立大学 大山俊幸氏

現像時におけるポリマーと現像液との反応を鍵とする微細パターン形成法である反応現像画像形成法(RDP)について紹介する。RDPの利用により、市販エンプラを含む広範なポリマーについてフォトリソグラフィープロセスによるポジ型およびネガ型微細パターン形成が実現される。

 

(2)13:50〜14:40

「光反応を利用した機能性高分子合成」

神戸大学大学院 北山雄己哉氏

本講演では、我々が最近見出した光反応性高分子微粒子に対する界面選択的光架橋現象および本現象を応用した様々な構造・機能を有する高分子微粒子創出について発表する。

 

14:40〜15:00 コーヒーブレイク

 

(3) 15:00〜15:50

「半導体用フォトレジスト開発の現状と今後」

東京応化工業株式会社 平野智之氏

半導体製造に用いられるフォトレジスト材料は露光光源の短波長化に伴って大きく変遷してきた。本講ではフォトレジストに求められる特性と材料設計を中心に解説するとともに、最先端のフォトレジスト用材料に関しても紹介する。

 

(4) 15:50〜16:40

「自己剥離テープ「セルファ」の開発」

積水化学工業株式会社 畠井宗宏氏

半導体工程用材料として、非常にユニークな自己剥離技術を使った「セルファ」を開発した。テープにUVを照射するとガスを発生することにより、自ら剥離する応力を発生し、剥離が困難とされる剛体同士の剥離を可能にした。

 

◆17:00〜18:30

交流会・ミニ展示会(参加費無料) 大会議室にて(講演会場の隣の部屋です)

※ 岩崎電気とアイ・エレクトロンビームは、EB技術の紹介をいたします。

 


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